【总览】8/6/4英寸MEMS组合工艺

基底尺寸：8英寸以内靶材：Al2O3、
、、TiO2
、、、SiO2等

基底尺寸：8/6/4英寸

加工容量：50片(厚度≤2mm)

反应温度：高温内腔≤500°C，，低温内腔≤300°C

真空度
：5.0×10-4Pa

反应温度：400℃~1150℃

膜厚均匀性：＜±1%(Al2O3)，，，＜±3%(SiO2)，，，，＜±3%(TiO2)

恒温区控温精度：±1℃

电子束蒸镀

磁控溅射

基底尺寸：8/6/4英寸

加工容量：9/18/36片(8/6/4英寸)

基底尺寸：8/6/4英寸

加工容量：4片

反应温度：50~300℃

膜厚均匀性：＜±2%

膜厚均匀性：＜±2.5%

靶材：Au
、
、Ag、、、Al
、、
、、Ni
、
、、In、、Cr、、、、Ti、、SiO2、、Al2O3、、MgF2、、NiO、、
、WO3、
、、、LiTaO3、、
、、ITO、、、、ZnS
、、、、CaF2
、、SeS2
、
、
、ZnS、
、TiO2
、、
、、Si3N4等

靶材：Au、、、Cr、、Al、、、、Ni、、、
、Ti、、
、Ta、、、、Cu
、、、Pt、、AlN
、、
、Si3N4、、
、ZnS、、
、、SiO2、、TiO2、、
、、WO3、、ZnO、、PZT、、MgF2、
、、CaF2等

基底尺寸：8英寸以内

腐蚀槽容积：25片/槽

反应温度
：140°C(±3°C
，，，SPM)，，，，

                    90°C(±2°C，，SC1/SC2)
，，
，

                    23°C(±0.5°C
，，BOE/HF)

溶液：SC1、、TMAH
、、KOH、、、SC2、、HF、、BOE、
、、SPM、、、、丙酮、、、、乙醇
、
、异丙醇等

腐蚀材料：Si、
、、、SiO2、
、
、Au、、、、Ag
、、、Cu
、
、、Fe、、、Ti
、、
、、Al、、
、Ni
、、、、TiW
、、Cr
、、、Ge、
、In、、、、ITO、、、Mg
、、、Mo、、
、、Zn、
、、、W 等

气态释放刻蚀

干法深硅刻蚀

基底尺寸：8英寸以内

基底尺寸
：8英寸以内

刻蚀速率：100~1000nm/min

气体流量：0~500 SCCM(氟化氢)

                    0~250 SCCM(无水乙醇)

                    0~2000 SCCM(氮气)

侧壁垂直度：90°(±0.1°) 

反应温度：-20~+40℃

刻蚀均匀性
：<±2%

刻蚀速度：＞10μm/min (Si)，，，，

                    ＞2.5μm/min (SOI)

刻蚀深度：725μm

深宽比：30:1

反应气体：SF6
、、、
、C4F8、、、
、Ar、、
、O2等

刻蚀均匀性：±2%

基底尺寸
：8/6/4英寸

基底尺寸：8/6/4英寸

抛光速率
：3.5nm/s(Si)
，，

                    1.5nm/s(SiO2)

抛光材质：Si
、、、、SiO2

最高温度：500℃

键合力：100kN

表面粗糙度：＜0.5nm

真空度范围：10-5Mbar~1000Mbar

压力重复性：±2%

砂轮切割

激光隐形切割

基底尺寸：8英寸以内

X轴行程：300mm

基底尺寸：8英寸以内

主轴功率：1.8kW

Y轴行程
：300mm

刻蚀速率：100~1000nm/min

气体流量
：0~500 SCCM(氟化氢)

                    0~250 SCCM(无水乙醇)

                    0~2000 SCCM(氮气)

主轴转速范围
：6000~60000rpm

Z轴行程：20mm

刻蚀均匀性：<±2%

切割精度
：±0.05mm

θ轴转角：380°