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原子层沉积

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尊龙时凯可根据客户器件对膜层材料的反射、、分束、、滤光、、、、电学等特性设计需要，，结合基底清洁、、、、活化、、、气相沉积、、、、热处理等加工方案，，，，提供原子层沉积工艺，，制备具有增透、、带通、、、截止、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。
参数基底尺寸：8英寸以内
产品参数
基底尺寸：8英寸以内
高温内腔反应温度：≤500°C
低温内腔反应温度：≤300°C
靶材：Al2O3、、、、TiO2、、、SiO2等
膜厚均匀性(SiO2)：＜±3%
膜厚均匀性(TiO2)：＜±3%
膜厚均匀性(Al2O3)：＜±1%
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详细信息


  • 薄膜制备工艺

    尊龙时凯MEMS微纳加工平台可根据客户器件对膜层材料的反射、、、分束、、、滤光、、、电学等特性设计需要，，，结合基底清洁、、、、活化、、、气相沉积、、、热处理等加工方案，，，提供物理气相沉积（电子束蒸镀/磁控溅射）、、、、原子层沉积（ALD）等组合工艺，，，制备具有增透、、、带通、、截止、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。。

原子层沉积

基底尺寸：8英寸以内靶材：Al2O3、、TiO2、、、、SiO2等

反应温度：高温内腔≤500°C，，，，低温内腔≤300°C

膜厚均匀性：＜±1%(Al2O3)，，，＜±3%(SiO2)，，，，＜±3%(TiO2)


  • 纳米级、、高包裹性薄膜制备

    基于自限制性的前驱体交替饱和反应，，制备的薄膜厚度、、形貌及结构可达到纳米尺度上高度可控，，具有高致密性、、、、高保形性、、大面积均匀性等优异性能。。




原子层沉积
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原子层沉积

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基底尺寸：8英寸以内
高温内腔反应温度：≤500°C
低温内腔反应温度：≤300°C
靶材：Al2O3、、、、TiO2、、、SiO2等
膜厚均匀性(SiO2)：＜±3%
膜厚均匀性(TiO2)：＜±3%
膜厚均匀性(Al2O3)：＜±1%
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    尊龙时凯MEMS微纳加工平台可根据客户器件对膜层材料的反射、、分束、、、、滤光、、、、电学等特性设计需要，，，，结合基底清洁、、、、活化、、、气相沉积、、、热处理等加工方案，，，提供物理气相沉积（电子束蒸镀/磁控溅射）、、原子层沉积（ALD）等组合工艺，，，制备具有增透、、、带通、、截止、、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。。

原子层沉积

基底尺寸：8英寸以内靶材：Al2O3、、、TiO2、、、、SiO2等

反应温度：高温内腔≤500°C，，低温内腔≤300°C

膜厚均匀性：＜±1%(Al2O3)，，＜±3%(SiO2)，，＜±3%(TiO2)


  • 纳米级、、、高包裹性薄膜制备

    基于自限制性的前驱体交替饱和反应，，，制备的薄膜厚度、、、、形貌及结构可达到纳米尺度上高度可控，，，，具有高致密性、、、、高保形性、、大面积均匀性等优异性能。。。




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