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电子束蒸镀

尊龙时凯可根据客户器件对膜层材料的反射、、、分束、、、、滤光、、、、电学等特性设计需要，，结合基底清洁、、、活化、、气相沉积、、、热处理等加工方案，，，，提供电子束蒸镀工艺，，制备具有增透、、、、带通、、截止、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。

参数基底尺寸：8/6/4英寸

产品参数

基底尺寸：8/6/4英寸

加工容量：加工容量：9/18/36片(8/6/4英寸)

反应温度：50~300℃

靶材：Au、、、Ag、、、、Al、、Ni、、、、In、、、、Cr、、、Ti、、、、SiO2等

膜厚均匀性：＜±2%

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详细信息

薄膜制备工艺
尊龙时凯MEMS微纳加工平台可根据客户器件对膜层材料的反射、、分束、、、、滤光、、、电学等特性设计需要，，，结合基底清洁、、活化、、、、气相沉积、、、热处理等加工方案，，，提供物理气相沉积（电子束蒸镀/磁控溅射）、、、、原子层沉积（ALD）等组合工艺，，，制备具有增透、、、带通、、截止、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。

电子束蒸镀
基底尺寸：8/6/4英寸	加工容量：9/18/36片(8/6/4英寸)
反应温度：50~300℃	膜厚均匀性：＜±2%
靶材：Au、、、Ag、、、、Al、、、Ni、、、、In、、、Cr、、、Ti、、、、SiO2、、、、Al2O3、、、、MgF2、、、、NiO、、、WO3、、、、LiTaO3、、、、ITO、、ZnS、、、、CaF2、、SeS2、、ZnS、、、、TiO2、、、、Si3N4等

电子束蒸镀

尊龙时凯可根据客户器件对膜层材料的反射、、、分束、、、滤光、、电学等特性设计需要，，结合基底清洁、、活化、、、气相沉积、、热处理等加工方案，，，提供电子束蒸镀工艺，，制备具有增透、、带通、、截止、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。。

基底尺寸：8/6/4英寸

加工容量：加工容量：9/18/36片(8/6/4英寸)

反应温度：50~300℃

靶材：Au、、、、Ag、、、、Al、、、Ni、、、In、、Cr、、Ti、、SiO2等

膜厚均匀性：＜±2%

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详细信息

薄膜制备工艺
尊龙时凯MEMS微纳加工平台可根据客户器件对膜层材料的反射、、分束、、滤光、、、电学等特性设计需要，，，，结合基底清洁、、活化、、、、气相沉积、、、、热处理等加工方案，，提供物理气相沉积（电子束蒸镀/磁控溅射）、、原子层沉积（ALD）等组合工艺，，，制备具有增透、、带通、、、、截止、、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。

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基底尺寸：8/6/4英寸	加工容量：9/18/36片(8/6/4英寸)
反应温度：50~300℃	膜厚均匀性：＜±2%
靶材：Au、、、、Ag、、、、Al、、、、Ni、、In、、、Cr、、Ti、、SiO2、、、Al2O3、、、MgF2、、、、NiO、、、WO3、、LiTaO3、、、ITO、、、、ZnS、、CaF2、、、、SeS2、、、、ZnS、、TiO2、、Si3N4等