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    磁控溅射

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    尊龙时凯可根据客户器件对膜层材料的反射、、、分束、、滤光、、、、电学等特性设计需要，，结合基底清洁、、、活化、、气相沉积、、热处理等加工方案，，提供磁控溅射工艺，，，制备具有增透、、、带通、、、截止、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。
    参数基底尺寸：8英寸以内
    产品参数
    基底尺寸：8英寸以内
    高温内腔反应温度：≤500°C
    低温内腔反应温度：≤300°C
    靶材：Al2O3、、、TiO2、、、SiO2等
    膜厚均匀性(SiO2)：＜±3%
    膜厚均匀性(TiO2)：＜±3%
    膜厚均匀性(Al2O3)：＜±1%
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    详细信息


    • 薄膜制备工艺

      尊龙时凯MEMS微纳加工平台可根据客户器件对膜层材料的反射、、、、分束、、、、滤光、、、电学等特性设计需要，，，结合基底清洁、、、、活化、、气相沉积、、、、热处理等加工方案，，，提供物理气相沉积（电子束蒸镀/磁控溅射）、、原子层沉积（ALD）等组合工艺，，，，制备具有增透、、、带通、、截止、、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。。

    磁控溅射

    基底尺寸：8/6/4英寸

    加工容量：4片

    膜厚均匀性：＜±2.5%


    靶材：Au、、、Cr、、、、Al、、Ni、、、、Ti、、、Ta、、Cu、、Pt、、、AlN、、、Si3N4、、、ZnS、、SiO2、、TiO2、、WO3、、、、ZnO、、PZT、、、MgF2、、CaF2等

    磁控溅射
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    高温内腔反应温度：≤500°C
    低温内腔反应温度：≤300°C
    靶材：Al2O3、、、、TiO2、、、SiO2等
    膜厚均匀性(SiO2)：＜±3%
    膜厚均匀性(TiO2)：＜±3%
    膜厚均匀性(Al2O3)：＜±1%
    13065680938
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    基底尺寸：8/6/4英寸

    加工容量：4片

    膜厚均匀性：＜±2.5%


    靶材：Au、、、、Cr、、、Al、、Ni、、Ti、、Ta、、、、Cu、、Pt、、AlN、、Si3N4、、、、ZnS、、SiO2、、、TiO2、、WO3、、ZnO、、、PZT、、、、MgF2、、、、CaF2等

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